2010/4/27	研究開発のページを更新しました　詳細
	2009/12/4	セミコン・ジャパン 2009 に出展しました。詳細
	2009/10/19	10月19日（月)から下記に移転いたしました。 〒113-8656 東京都文京区弥生2-11-16 東京大学 武田先端知ビル　30７号室 電話 03-3868-9051 FAX 03-3868-9052
	2009/9/29	製品とサービスのページを更新しました　詳細 研究開発のページを更新しました　詳細
	2009/6/24 〜6/26	PVJapan2009 ブース出展いたしました　詳細
	2009/6/24 〜6/26	6月24日(水)〜26日(金) 幕張メッセ (ブース6A-403)で行われるPVJapanに Heat Beam 装置技術を出展します。アルミニュームフォイルやポリカーボネイト上に シリコンや絶縁膜、導電膜を形成するHB装置を25日午前11:00〜11:20のセミナーで紹介します。 　技術の詳細
	2009/2/19	顧客の持ち込む金属ホイルの上にポリシリコンを成長させたサンプル作りを新サービスとして始めました。またガラス上の薄膜を４００から８００℃の高温アニールするサンプル基板作りをいたします。　詳細
	2008/11/4	300mm以上の基板を低温に維持したまま、表面を加熱または CVD処理する実験装置を作りました。 デバイス作製済みシリコン基板、ガラス基板、樹脂基板に対応します。　詳細
	2008/7/26	太陽電池を安価に製造するための部品を開発いたしました。　詳細
	2008/5/22	事業拡張に伴い事業サービスページ更新いたしました
	2008/5/22	太陽電池に関連する特許出願いたしました
	2007/12/26	実デバイスに近いコンタクト孔の構造と測定方法で、チャージダメージを敏感に測定して 工程歩留まりを改善させるサービスを始めました。
	2007/12/5-7	07/12/5 - 7 セミコン・ジャパン 2007 に出展いたしました。　詳細
	2007/8/24	チャージダメージを弱いものから破壊に至るまでを製造現場と同じ信頼度指標で比較できるよう にワイブル分布で表現するサービスを始めました。 製品概要
	2007/8/2	酸化膜破壊にまでいたらせる追加のチャージ注入量で受けたダメージを評価するサービスを始めました。　わずかなダメージを検出して工程の歩留まり改善をします。　　製品概要
	2007/6/18	Comb Antenna チャージモニターの販売を始めました 初期I/V曲線　ご提供データ
	2007/5/15	DRAM製造方法に関する特許出願（特開2005-260091）を審査請求しました　詳細　公開特許公報
	2007/3/12	製品・サービスの商品概要を更新しました　詳細
	2007/1/22	フィルテックは人材を募集しています。　詳細
	2006/12/6-8	SEMICON JAPAN 2006 ブース出展いたしました　詳細
	2006/10/10	研究・開発をアップデートしました
	2006/9/13	CMP評価のためのCuめっき100nmトレンチ標準ウエハX2005の最新断面SEM写真を撮影しました　詳細
	2006/8/30	研究・開発に“ストライエイションの無いエッチング技術”を追加しました
	2006/8/29	特許のページを更新いたしました
	2006/8/16	研究・開発に“デバイス製造歩留まりを決めるウエハ仕様”を追加しました
	2006/6/5-6	IITC (2006 IEEE International Interconnect Technology Conference)に出展いたしました。　Hyatt Regency Hotel, Burlingame, CA　詳細
	2006/5/24	Ｓｉ基板結晶の原子空孔の説明のためのセミナーを2006/5/24に開催します。半導体歩留ま りの支配因子の一つを理解する機会になります。詳細
	2006/5/21	フィルテックは設立から５周年を迎えました。
	2006/5/1	（株）ルネサステクノロジーから西原晋治氏をフィルテックの理念を共に実現する幹部として迎えました。　技術陣の履歴
	2006/4/15	Si結晶の品質を決定する原子空孔を音速測定で観察することに初めて成功しました（後藤・金田らの日本物理学会誌）。フィルテックは超音波の発信受信試料を作製することに貢献し、謝辞に記録されました。産業価値を元NECの津屋英樹博士が述べています。
	2006/4/1	酸化膜が破壊する前に起きるリーク電流の増加でダメージを評価する新サービスを始めました。最先端デバイスの 製造歩留まりと信頼性の評価に有効です。
	2006/3	第三者割り当て増資を実行して資本金を３億５０９０万円にしました。
	2006/2/28	あすかプロジェクトに貢献したことが認められ、デバイスメーカーが組織する半導体先端テクノロジーズ社から感謝状を賜る栄誉を得ました。　画像はこちら
	2006/2/24	日経産業新聞に　20nmホールパタン付きウエハの製品が製造装置開発に不可欠なサービスとして紹介されました。　掲載記事(PDF)
	2005/12	事務所を移転いたしました。 新住所：東京都千代田区麹町4-3-4　※電話/FAXは変更ありません
	2005/9	* 20-50nm直径の孔パタンウエハの供給を開始しました。　contact us
	2005/9	* デバイスレベルの性能テスト要求に合わせてマット(matted:非光沢) Cuウエハも供給を開始しました。　contact us
	2005/7	300mmチャージアップモニターTEG version2（製品番号：PD3002）の製品サービスを開始いたしました。従来の製品に比べ、ウエハ内の電気特性が改善され、より精度の高い評価が可能となりました。
	2005/1	300mmウエハでチャージダメージTEGの製品サービスを開始いたしました　詳細（PDF）
	2004/12/1-3	SEMICON JAPAN 2004　に出展しました　出展の模様
	2004/7/7	日経エレクトロニクスサイト「NE ONLINE」にSeleteとの直径60nm穴開け技術開発に関する記事が掲載されました 掲載記事（閲覧にはNE ONLINEへのユーザー登録が必要です）
	2004/7/5	日経産業新聞に掲載されました　掲載記事（PDF）
	2004/7/1	7月1日付けで第三者割当による増資を行い、資本金が2億530万円になりました
	2004/6/29	NGL2004 (Next Generation Lithography 2004)で研究成果を発表しました　発表内容（PDF）
	2004/6	Electric Journal 2004年6月号に掲載されました　掲載記事（PDF）
	2004/3/19	第８回広島放射光国際シンポジウム（広島大学学士会館）で研究成果を発表しました　発表内容（PDF）
	2004/3/15	NBCIベンチャーフォーラム（東京国際展示場）で研究成果を発表しました　発表内容（PDF）
	2004/3/10	Philtechが入居している「ベンチャービレッジひろしま」オープンの模様が日経新聞・中国新聞に掲載されました　日経新聞（PDF）　　中国新聞（PDF）
	2004/1/28-29	International SEMATECH Lithography Forum（Los Angeles)へ参加しました　掲載記事（PDF）
	2004/01/19	週刊ナノテク 2004年1月19日号に掲載されました　掲載記事（JPEG）
	2004/01	Electric Journal 2004年1月号に掲載されました　掲載記事（PDF）
	2003/12/16	Philtechが広島県の県外ベンチャー誘致・育成事業で支援する第一号企業に選定されました　　　各掲載記事(PDF)→ 日経新聞広島版(2003/12/16)　日経産業新聞(2003/12/17)　 中国新聞(2003/12/23)
	2003/12/9	Philtech供給ウエハでの研究成果を広島大学新宮原助教授が発表しました →　詳細へ
	2003/12/5	SEMICON JAPAN 2003　に出展しました　出展の模様
	2003/12/4	日経産業新聞に掲載されました　掲載記事（JPEG）
	2003/12/3	日本経済新聞に掲載されました　掲載記事（JPEG）
	2003/10	Electric Journal 2003年10月号に掲載されました　掲載記事（PDF）
	2003/7/10-7/11	応用物理学会次世代リソグラフィ（NGL)ワークショップに投稿しました　投稿論文
	2003/6/16	本社を　千代田区麹町5-7秀和紀尾井町TBRビル401　に移転しました
	2003/4	Semiconductor Fpd World 2003年4月号に掲載されました　掲載記事（PDF）
	2002/12/3	SEMICON JAPAN 2002　に出展しました　出展の模様
	2002/11	Electric Journal 2002年11月号に掲載されました　掲載記事（PDF）
	2002/10	Electric Journal 2002年10月号に掲載されました　掲載記事（PDF）