私たちフィルテックは、半導体開発時代に得た幅広い科学技術の知識を
製品とサービスで表現し、成長市場の架け橋になります。

ニュースリリース

2017/7/9〜12

チェコ・プラハの第7回WORLD YDROGEN TECHNOLOGY CONVENTIONにて、Heat-Beam Stationの熱ビーム水素技術を紹介しました。
当技術ではCO不純物なしで水素生成が可能です。

2016/12/26

HB製品の技術開発と研究のための実験施設(Fuchu Laboratory)を開設しました。
東京都府中市栄町1-5-14 池商ビル102(西)

2016/9/28〜30

東京ビッグサイトで開催された水素ステーションインフラ展に、水素生成のHBシリンダーを展示しました。

2016/4/6〜8

東京ビッグサイトで開催されたファインテック展示会にて、室温でAl2O3アルミナ膜を成長させる技術を出展しました。

2016/3/2〜4

東京ビッグサイトで開催された第1回バイオマス電力展にHB Cylinderを出展しました。 詳細

2016/1/27〜29

東京ビッグサイトで行われたナノテク2016展に室温成長アルミナの技術をパネル展示しました。 詳細

2015/12/16〜18

セミコンジャパン2015に出展し、TSVチャージアップモニタウエハ(TSV wafer, Charge-up monitor wafer)のパネルやウエハを展示いたしました。
ヒートビームシリンダー(Heat Beam Cylinder)は実機を展示し、Al2O3の室温成長を可能にさせたことを示すパネルを展示しました。顧客の方々のご来訪が集中して説明員が不足する時間帯もあり、盛況となりました。 技術紹介 展示の模様

2015/8/22

8月22日(土)から下記に移転いたしました。
〒113-0034 東京都文京区湯島2-29-3
湯島太田ビル 5階
電話 03-3868-9051 (変更なし)
FAX 03-3868-9052 (変更なし)

2014/10/31

日経産業新聞に白金を使わないでメタンガスから水素を生成するヒートビーム装置が紹介されました。

2014/5/5

フィルテックと新潟大学、東芝、グローバルウエーハファンドリー、九州工業大学のチームが表面弾性波で原子空孔欠陥を物理解析したことが新聞掲載されました。
新聞発表 論文

2013/4/22

HBの技術が東京都文京区のウイークリーニュースで取り上げられました。 詳細

2013/3/1

世界が注目する材料のグラフェンを当社のヒートビームCVD装置を使って成長させたことが3月1日に発表されました。 詳細

2013/1/30

ナノテク2013で「世界を変える中小企業29社」 に選ばれました。フィルテックはその製品を出展しました。 詳細 出展パンフレット

2012/12/5

研究のためのヒートビーム小型装置とフィルテックの事業目標がフジサンケイビジネスアイ新聞で報道されました。 詳細

2012/11/6

新潟大学が当社が作製した超音波デバイスを使いシリコン結晶の原子の孔を測定したことが、日経産業新聞に報道されました。 詳細

2012/10/1

当社の技術が注目されているということが日経新聞に報道されました。 詳細

2012/9/10

9月10日(月)から下記に移転いたしました。
〒113-0033 東京都文京区本郷7-3-1
東京大学アントレプレナープラザ 505号室
電話 03-3868-9051 (変更なし)
FAX 03-3868-9052 (変更なし)

2012/8/20

ヒートビームCVDの量産技術が日経新聞で報道されました。 詳細

2012/8/8

【大気雰囲気の無限連続基板に結晶膜を成長させる装置開発に成功】
詳細が8月8日に東京大学で行われたCVD反応分化会第16回シンポジュームで発表されました 詳細

2012/7/9

研究開発のページ"移動する基板表面を1000℃まで加熱するヒートビーム装置"をアップデートしました 詳細

2011/9/9

1985年に出願された軸を傾けたシリコン基板にSiCをヘテロエピヤキシャル成長させる技術の実績を基にコンサルティングを開始しました。斜め基板の技術は LEDのヘテロ結晶成長に使用されています。  詳細

2010/4/27

研究開発のページを更新しました

2009/12/2〜4

セミコン・ジャパン 2009 に出展しました。詳細

2009/10/19

10月19日(月)から下記に移転いたしました。
〒113-8656 東京都文京区弥生2-11-16
東京大学 武田先端知ビル 307号室
電話 03-3868-9051
FAX 03-3868-9052

2009/9/29

製品とサービスのページを更新しました
研究開発のページを更新しました

2009/6/24 〜6/26

PVJapan2009 にブース出展いたしました 詳細

2009/6/24 〜6/26

6月24日(水)〜26日(金) 幕張メッセ (ブース6A-403)で行われるPVJapanに Heat Beam 装置技術を出展します。
アルミニュームフォイルやポリカーボネイト上に シリコンや絶縁膜、導電膜を形成するHB装置を25日午前11:00〜11:20のセミナーで紹介します。  詳細

2009/2/19

顧客の持ち込む金属ホイルの上にポリシリコンを成長させたサンプル作りを新サービスとして始めました。またガラス上の薄膜を400から800℃の高温アニールするサンプル基板作りをいたします。 詳細

2008/11/4

300mm以上の基板を低温に維持したまま、表面を加熱または CVD処理する実験装置を作りました。
デバイス作製済みシリコン基板、ガラス基板、樹脂基板に対応します。 詳細

2008/7/26

太陽電池を安価に製造するための部品を開発いたしました。 詳細

2008/5/22

事業拡張に伴い事業サービスページ更新いたしました

2008/5/22

太陽電池に関連する特許出願いたしました

2007/12/26

実デバイスに近いコンタクト孔の構造と測定方法で、チャージダメージを敏感に測定して 工程歩留まりを改善させるサービスを始めました。

2007/12/5〜7

セミコン・ジャパン 2007 に出展いたしました。 詳細

2007/8/24

チャージダメージを弱いものから破壊に至るまでを製造現場と同じ信頼度指標で比較できるようにワイブル分布で表現するサービスを始めました。 製品概要

2007/8/2

酸化膜破壊にまでいたらせる追加のチャージ注入量で受けたダメージを評価するサービスを始めました。
わずかなダメージを検出して工程の歩留まり改善をします。 製品概要

2007/6/18

Comb Antenna チャージモニターの販売を始めました
初期I/V曲線 ご提供データ

2007/5/15

DRAM製造方法に関する特許出願(特開2005-260091)を審査請求しました

2007/3/12

製品・サービスの商品概要を更新しました

2006/12/6〜8

SEMICON JAPAN 2006 ブース出展いたしました 詳細

2006/10/10

研究・開発をアップデートしました

2006/9/13

CMP評価のためのCuめっき100nmトレンチ標準ウエハX2005の最新断面SEM写真を撮影しました 詳細

2006/8/30

研究・開発に“ストライエイションの無いエッチング技術”を追加しました

2006/8/29

特許のページを更新いたしました

2006/8/16

研究・開発に“デバイス製造歩留まりを決めるウエハ仕様”を追加しました

2006/6/5〜6

IITC (2006 IEEE International Interconnect Technology Conference)に出展いたしました。
Hyatt Regency Hotel, Burlingame, CA 詳細

2006/5/24

Si基板結晶の原子空孔の説明のためのセミナーを開催しました。半導体歩留まりの支配因子の一つを理解できる内容となっています。

2006/5/21

フィルテックは設立から5周年を迎えました。

2006/5/1

(株)ルネサステクノロジーから西原晋治氏をフィルテックの理念を共に実現する幹部として迎えました。 技術陣の履歴

2006/4/15

Si結晶の品質を決定する原子空孔を音速測定で観察することに初めて成功しました(後藤・金田らの日本物理学会誌)。フィルテックは超音波の発信受信試料を作製することに貢献し、謝辞に記録されました。産業価値を元NECの津屋英樹博士が述べています。

2006/4/1

酸化膜が破壊する前に起きるリーク電流の増加でダメージを評価する新サービスを始めました。最先端デバイスの 製造歩留まりと信頼性の評価に有効です。

2006/3/24

第三者割当により資本金を3億5,092万円に増資しました。

2006/2/28

あすかプロジェクトに貢献したことが認められ、デバイスメーカーが組織する半導体先端テクノロジーズ社から感謝状を賜る栄誉を得ました。 画像はこちら

2006/2/24

日経産業新聞に 20nmホールパタン付きウエハの製品が製造装置開発に不可欠なサービスとして紹介されました。 掲載記事(PDF)

2005/12

事務所を移転いたしました。
新住所:東京都千代田区麹町4-3-4 ※電話/FAXは変更ありません

2005/9

* 20-50nm直径の孔パタンウエハの供給を開始しました。 詳細はお問合せください

2005/9

* デバイスレベルの性能テスト要求に合わせてマット(matted:非光沢) Cuウエハも供給を開始しました。 詳細はお問合せください

2005/7

300mmチャージアップモニターTEG version2(製品番号:PD3002)の製品サービスを開始いたしました。従来の製品に比べ、ウエハ内の電気特性が改善され、より精度の高い評価が可能となりました。

2005/1

300mmウエハでチャージダメージTEGの製品サービスを開始いたしました 詳細(PDF)

2004/12/1〜3

SEMICON JAPAN 2004 に出展しました 出展の模様

2004/7/7

日経エレクトロニクスサイト「NE ONLINE」にSeleteとの直径60nm穴開け技術開発に関する記事が掲載されました
掲載記事(閲覧にはNE ONLINEへのユーザー登録が必要です)

2004/7/5

日経産業新聞に掲載されました 掲載記事(PDF)

2004/7/1

7月1日付けで第三者割当による増資を行い、資本金が2億530万円になりました

2004/6/29

NGL2004 (Next Generation Lithography 2004)で研究成果を発表しました 発表内容(PDF)

2004/6

Electric Journal 2004年6月号に掲載されました 掲載記事(PDF)

2004/3/19

第8回広島放射光国際シンポジウム(広島大学学士会館)で研究成果を発表しました 発表内容(PDF)

2004/3/15

NBCIベンチャーフォーラム(東京国際展示場)で研究成果を発表しました 発表内容(PDF)

2004/3/10

Philtechが入居している「ベンチャービレッジひろしま」オープンの模様が日経新聞・中国新聞に掲載されました 日経新聞(PDF) 中国新聞(PDF)

2004/1/28〜29

International SEMATECH Lithography Forum(Los Angeles)へ参加しました 掲載記事(PDF)

2004/01/19

週刊ナノテク 2004年1月19日号に掲載されました 掲載記事(JPEG)

2004/01

Electric Journal 2004年1月号に掲載されました 掲載記事(PDF)

2003/12/16

Philtechが広島県の県外ベンチャー誘致・育成事業で支援する第一号企業に選定されました。  日経新聞広島版(2003/12/16) 日経産業新聞(2003/12/17)  中国新聞(2003/12/23)

2003/12/9

Philtech供給ウエハでの研究成果を広島大学新宮原助教授が発表しました  詳細

2003/12/5

SEMICON JAPAN 2003 に出展しました 出展の模様

2003/12/4

日経産業新聞に掲載されました 掲載記事(JPEG)

2003/12/3

日本経済新聞に掲載されました 掲載記事(JPEG)

2003/10

Electric Journal 2003年10月号に掲載されました 掲載記事(PDF)

2003/7/10〜7/11

応用物理学会次世代リソグラフィ(NGL)ワークショップに投稿しました 投稿論文

2003/6/16

本社を 千代田区麹町5-7秀和紀尾井町TBRビル401 に移転しました

2003/4

Semiconductor Fpd World 2003年4月号に掲載されました 掲載記事(PDF)

2002/12/3

SEMICON JAPAN 2002 に出展しました 出展の模様

2002/11

Electric Journal 2002年11月号に掲載されました 掲載記事(PDF)

2002/10

Electric Journal 2002年10月号に掲載されました 掲載記事(PDF)