当社代表の古村が講演しました。

電力中央研究所で開催されたパワーデバイス用シリコンおよび関連半導体材料に関する研究会(第６回）において「シリコンエピタキシャル成長で発見し学んだ製造技術」と題して、当社代表の古村が講演しました。(111)傾斜Si基板の上にSiCを成長させた技術の経緯を説明しました。