MEMS加工ウエハテストウエハ

MEMS加工ウエハ

シリコンの深堀エッチングやKOH TMAH等を用いたシリコン異方性ウェットエッチング加工が可能です。
ウエハサイズは100mm 150mm 200mm 300mmに対応しています。
微細寸法の加工は開発案件となる場合がありますので詳細はお問合せ下さい。

1. シリコンボッシュエッチングパターン

下記SEM写真はシリコン基板をボッシュエッチングで形成したパターン例です。
パターン寸法、パターン密度によって技術的な製造の難易度は変わりますので詳細はお問合せ下さい。

0.4um幅 18um深さ
トレンチパターン

50um径 340um深さ
密集ピラーパターン

60um径 200um深さ
疎密度ピラーパターン

2. シリコン異方性ウェットエッチングパターン

上記SEM写真は面方位が(100)のシリコン基板を用いTMAHでウェットエッチングを行った例です。
(111)のシリコン面のエッチングレートが遅いため傾斜面が形成されます。

3. 300mmシリコンウエハの貫通機械加工

300mm径 775um厚のシリコン基板に 250um径の貫通孔を形成することができます。
ドライエッチングを使わないため安価な加工技術です。