CMP評価ウエハテストウエハ

CMP評価ウエハ

CMP EVALUATION WAFERS

CMP評価ウエハは、CMP（化学機械研磨）工程で用いるスラリーや研磨装置、研磨条件を評価するためのテストウエハです。

ライン幅・スペース・パターン密度の違いによるディッシング（配線のくぼみ）やエロージョン（配線密集部の削れ込み）を比較し、研磨後の平坦性、研磨レートや膜の選択比などの評価に使用します。

フィルテックでは、Cu（銅）配線のCMP評価用にCMP-4と754／854、STI（素子分離）の埋め込み酸化膜CMP評価用にPT004の標準マスクを用いたパターンウエハをご提供しています。

掲載寸法は標準マスクの設計値です。ウエハ径や膜構成・膜厚は、評価条件に合わせてご相談いただけます。

CMP評価ウエハのご相談

標準マスクから見る

ライン幅やスペースを変えた配線パターンで、Cu CMP後の段差の違いを評価します。

項目	内容
マスクレイアウト	20.8mm × 20.8mm
最小ライン幅	80nm（0.08µm）

表以外にも中間の寸法があり、ダミーパターンの有無や配線長を変えた領域、周囲の配線との間隔を広くした孤立配線も配置しています。

電解めっき Cu
0.6 µm

Cu Seed
60 nm

Ta／TaN
各10 nm

P-SiO／BD
200～300 nm

CMP-4の積層構造例（模式図・縮尺不同）

パターンの形状・幅・スペース・密度を変えた領域で、STIの埋め込み酸化膜CMP後の段差の違いを比較できます。

項目	内容
ショットサイズ	20mm × 20mm
最小寸法	0.18µm

平面模式図の青い部分がパターンを表します。

表以外にも幅・スペースの組み合わせがあります。ライン＆スペースの密度は10～90%（10%刻み）で、表にない密度条件も含みます。

酸化膜を埋め込む前の状態です。図中の寸法は撮影箇所の実測例です。

ライン幅やスペース、パターン密度によるCu CMPの研磨結果の違いを確認できます。

項目	内容
マスク	754／854
トレンチ幅	0.18～100 µm

写真はウエハ全体の例で、CMP後の断面ではありません。

絶縁膜の材料・膜厚、Cuめっき膜厚など、ご希望の加工構造をお知らせください。