Poly Siパターン付きウエハテストウエハ

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Poly Siパターン付きウエハ

Poly Siパターン付きウエハ

POLY SI PATTERN WAFERS

熱酸化膜などの絶縁膜上にPoly-Si膜を形成し、所定の形状に加工したウエハです。

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40 nm微細パターンの製作実績

40 nmパターンは、ライン＆スペース（L&S）のレジストパターンをレジストトリミングで細くし、そのレジストをマスクとしてPoly-Siへ転写した製作例です。

レジストトリミング（スリミング）を用いた加工原理と工程

レジストトリミングでは、一般的にプラズマ化した酸素を含むガスでレジストをエッチングし、線幅を細くします。

図中では、線幅をCD、レジストをPR、熱酸化膜をSiO2と示します。

PR、poly-Si、SiO2、Siを図中表示し、スリミング前のレジストCD 80 nmを両矢印で示す工程断面図 — Poly-Si膜上に、トリミング前のレジストCD 80 nmのL&Sパターンを形成します。

PR、poly-Si、SiO2、Siを図中表示し、レジストスリミング後のCD 40 nmを両矢印で示す工程断面図 — レジストの両側面を削り、ピッチを維持したままCDを80 nmから40 nmへ縮小します。

レジストをマスクにPoly-Siへ転写し、線幅40 nmを両矢印で示す工程断面図 — CD 40 nmのレジストをマスクとして、Poly-Siへ同じ線幅を転写します。

レジスト除去後のPoly-Siについて、線幅40 nmと高さ125 nmを両矢印で示す工程断面図 — レジスト除去後、線幅40 nm、高さ125 nmのPoly-Siパターンが残ります。

断面・平面SEM観察結果

Poly-Si微細ラインの断面SEMと平面SEMを左右に並べた比較画像 — 左：断面（線幅40 nm／高さ125 nm）　右：平面

250 nm L&Sパターンの製作実績

厚膜Poly-SiでL&Sパターンを形成した製作例です。ドーピング処理を施したPoly-Siは、高温処理に耐える電極配線として利用できます。また、異なる膜種のカバレッジ（段差被覆性）評価にも使用されます。

断面SEM観察結果

横寸法500 nm・高さ446 nmのd-PolySi／SiO2／Si積層断面SEM — 断面（横寸法500 nm／高さ446 nm）