Poly Siパターン付きウエハテストウエハ

Poly-Si（ポリシリコン）パターンウエハ

Poly-Si（多結晶シリコン）パターンウエハは、熱酸化膜などの絶縁膜上にPoly-Si膜を形成し、所定の形状に加工したウエハです。

Poly-Siパターンウエハの受託加工についてご相談いただけます。

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40 nmパターンは、ライン＆スペース（L&S）のレジストパターンを形成し、レジストトリミングでライン幅を細くした後、そのレジストをマスクとしてPoly-Siへパターンを転写した製作例です。

この方法により、微細なPoly-Siラインを形成しています。

レジストトリミングでは、一般的にプラズマ化した酸素を含むガスによってパターン形成したレジストをエッチングしレジストの線幅を細くします。

細くしたレジストをマスクにPoly-Siをエッチングすると、その線幅がPoly-Siへ転写されます。図中では、線幅をCD、レジストをPR、熱酸化膜をSiO2と示します。

250 nm L&Sパターンは、厚膜Poly-Siによるラインとスペースが交互に並ぶ構造の加工例です。ドーピング処理を施したPoly-Siは、高温処理に耐える電極配線として利用できます。また、異なる膜種のカバレッジ（段差被覆性）評価にも使用されます。