300mm以上の基板を低温に維持したまま、表面を加熱または CVD処理する実験装置を作りました。デバイス作製済みシリコン基板、ガラス基板、樹脂基板に対応します。
2008/11/04
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移動する基板表面を1000℃まで加熱するHeat Beam装置
Heat-Beam annealing of a moving substrate up to 1000℃
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