実装評価ウエハテストウエハ

実装評価ウエハとは

実装評価ウエハは、半導体パッケージの材料や接合工程を評価するためのTEG(Test Element Group)パターン付きウエハです。TEGとは、材料、工程、電気的な接続状態を確認するための評価用パターンを指します。

フィルテックでは、評価内容やお客様のご要望に応じて、配線パターンや接続部の仕様を検討し、実装評価ウエハの製作検討が可能です。

主な用途

  • 封止・充填材料パッケージフィリング材やアンダーフィル材の評価
  • 接合材料はんだ材やバンプ材料の評価
  • 実装工程バンプ形成や接合プロセスの評価
  • 電気的接続導通や接続抵抗の変化の確認

実装評価ウエハの製作についてご相談ください。

お問い合わせ

以下に、フィルテックが製作した実装評価ウエハの一例を示します。

デイジーチェーンTEG(PT035)

PT035は、フィルテックが製作した実装評価用のデイジーチェーンTEGです。異なる配線パターンを持つPT035AとPT035Bを接合すると、複数の接続部が直列につながるデイジーチェーンを構成します。導通の有無や抵抗値の変化から、接続経路全体の状態を確認できます。

断面構造

白背景で、上側シリコン領域のPT035Bと下側シリコン領域のPT035A、アルミ配線、バンプ接続を示す断面構造例
PT035B(上側)とPT035A(下側)の断面構造例

共通仕様

項目仕様
パッドピッチ40 µm
パッドサイズ20 µm
配線幅16um
パッシベーション開口寸法7 µm
UBM寸法15 µm

PT035A/PT035Bのレイアウト

PT035AとPT035Bの配線を位置合わせし、バンプ接続を介して折り返し配線を連続させることで、直列のデイジーチェーンを構成します。

PT035A (8 mm × 8 mm)

表示レイヤー1~3を色分けした、8 mm角のPT035A A2チップ全体GDS像

PT035B (6 mm × 6 mm)

同一縮尺で6 mm角として示した表示レイヤー4~6を色分けした、反転前のPT035B B2チップ全体GDS像

※上図以外にもウエハ面内にはバンプ数が違う分流チップが存在します

バンプ形成後SEM

左側はPT035Aのニッケル・金(NiAu)バンプ、右側はPT035Bの錫・銀(SnAg)バンプを、形成後にSEM(走査電子顕微鏡)で観察した結果です。

左側にPT035AのNiAuバンプ、右側にPT035BのSnAgバンプの形成後表面を示すSEM画像
PT035A(左):NiAuバンプ/PT035B(右):SnAgバンプ形成後のSEM

TSV インターポーザー

TSV(Through Silicon Via:シリコン貫通ビア)をCuなどの導体金属で埋め、シリコン基板を貫通する配線としたものをシリコン貫通電極と呼びます。

フィルテックでは、シリコン基板を貫通するTSV電極を形成した実績があります。

複数のTSV電極を示すインターポーザー例の断面SEM