CMP評価ウエハテストウエハ

CMP評価ウェハとは

CMP評価ウェハは、CMP（化学機械研磨）工程で用いるスラリーや研磨装置、研磨条件を評価するためのテストウェハです。研磨後の平坦性や、パターンによる仕上がりの違いを確認します。

ライン幅・スペース・パターン密度の違いによるディッシング（配線のくぼみ）やエロージョン（配線密集部の削れ込み）を比較し、研磨レートや膜の選択比などの評価に使用します。

フィルテックでは、Cu（銅）配線とSTI（素子分離）のCMP評価に用いるパターンウェハをご提供しています。

CU CMPCu CMP評価

CMP-4、754／854の標準マスクを用いたパターンウエハをご提供します。

STI CMPSTI CMP評価

PT004の標準マスクを用いた、埋め込み酸化膜のCMP評価用パターンウエハをご提供します。

掲載寸法は標準マスクの設計値です。ウエハ径や膜構成・膜厚は、評価条件に合わせてご相談いただけます。

CMP評価ウェハのご相談

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標準マスクから見る

CMP-4は、ライン幅やスペースを変えた配線パターンを使い、Cu CMP後の段差の違いを評価するための標準マスクです。

項目	内容
マスクレイアウト	20.8mm × 20.8mm
最小ライン幅	80nm（0.08µm）

表以外にも中間の寸法があり、ダミーパターンの有無や配線長を変えた領域、周囲の配線との間隔を広くした孤立配線も配置しています。

Cu CMP評価用ウエハの構造例です。膜種・膜厚は、ご希望の構造に合わせてご相談いただけます。

電解めっき Cu
0.6 µm

Cu Seed
60 nm

Ta／TaN
各10 nm

P-SiO／BD
200～300 nm

CMP-4の積層構造例（模式図・縮尺不同）

PT004は、STIの埋め込み酸化膜CMP評価用の標準マスクです。パターンの形状・幅・スペース・密度を変えた領域で、CMP後の段差の違いを比較できます。

項目	内容
ショットサイズ	20mm × 20mm
最小寸法	0.18µm

チェッカー、スクエア、メッシュ、ライン＆スペースの平面模式図です。青い部分がパターンを表します。

表以外にも幅・スペースの組み合わせがあります。ライン＆スペースの密度は10～90%（10%刻み）で、表にない密度条件も含みます。

酸化膜を埋め込む前の、Siエッチング後の断面SEMです。図中の寸法は撮影箇所の実測例です。

754と854は、Cu CMP評価に用いる標準マスクです。ライン幅やスペース、パターン密度による研磨結果の違いを確認できます。

項目	内容
マスク	754／854
トレンチ幅	0.18～100 µm

下の写真は、Cuめっき後の754パターンウエハ全体の例です。CMP後の断面ではなく、Cu系評価ウエハの加工例として掲載します。

絶縁膜の材料・膜厚、Cuめっき膜厚など、希望する加工構造をお知らせください。