SADPによる微細パターン形成
自己整合ダブルパターニング（SADP：Self-Aligned Double Patterning）は、コアと呼ばれるパターンの側壁にスペーサ膜を形成し、コアを除去した後に残るスペーサをラインとして利用する微細パターニング技術です。側壁スペーサを利用することから、スペーサパターニングとも呼ばれます。
1本のコアの両側にスペーサラインを形成するため、元のコアパターンに対して線密度を2倍にできます。工程では、コア形成、段差に沿ったスペーサ膜の成膜、水平面の膜を取り除く異方性エッチバック、コアの選択除去を順に行います。
フィルテックでは、SADPを用いて、300 mm Siウエハ上にSiOのライン幅25 nm、スペース幅25 nm、ピッチ50 nmのライン＆スペース（L&S）パターンを形成した実績があります。
評価目的や希望する構造・寸法に応じたカスタムSADPも、仕様を伺ったうえで対応可否を検討します。
SADPウエハの評価用途
SADPの途中工程にあるパターン付きテストウエハは、成膜評価やドライエッチング評価などの半導体プロセス評価に利用できます。
仕様や加工条件についてご相談いただけます。
お問い合わせ25 nm L&S製作実績
| 項目 | 構成 |
|---|---|
| 基板 | 300 mm Siウエハ |
| パターニング方式 | SADP |
| コア膜 | SiN（LP-SiN）、膜厚80 nm |
| スペーサ形成膜 | SiO（LP-TEOS） |
| 形成した構造 | SiO、ライン幅25 nm／スペース幅25 nm／ピッチ50 nm |
プロセスフロー
SiNコア形成
SiO成膜
SiOエッチバック
SiN除去・SiO L&S形成
観察結果
測長SEM（パターン寸法の計測に用いる走査電子顕微鏡）で、ライン幅25 nm、スペース幅25 nm、ピッチ50 nmの周期的なL&Sパターンを観察しています。
