ボッシュプロセス

ドイツのボッシュ社により開発された技術。
シリコンを深掘りエッチングすることができる。
垂直ドライエッチングと側壁保護膜残しを繰り返しアスペクト比の高い孔を形成する。
一般にシリコン基板を貫通させるTSVの形成に使われる。