endurance

半導体分野ではメモリ素子が正しくデータ書換をできる回数をendurance（エンデュランス）と表現する。
特に不揮発メモリの性能指標として使われている。
一般に、DRAMやSRAMの揮発メモリのenduranceは∞であることに対して、不揮発メモリではNAND FLASH=10⁴～10⁵と言われている。