NAND FLASH

電源を切った状態でも記録したデータが消えずに残る不揮発性メモリの一種。

NAND FLASHメモリーは、データの書き込みが早く集積化が容易であることからハードディスクに代わる記録媒体として用いられている。

データの読み書きの仕組みは、「フローティングゲート」と呼ばれる導体部に電子を蓄えたり放出したりするというもので、
この出し入れの際に、電子は「トンネル酸化膜」と呼ばれる酸化膜（絶縁体）を突き破って移動する。
そのため電子の移動によって酸化膜は徐々に劣化していき、最終的には電子を蓄えられなくなりNAND FLASHメモリーとしての寿命がくる。

一般にNAND FLASHの書き込み回数(=endurance)は10⁴程度といわれている。

FLASHメモリーと言われる所以は、データをカメラのフラッシュのように一瞬で消去することができることからきている。