RIE

Reactive Ion Etchingの略称で反応性イオンエッチング のこと。
半導体基板の薄膜の微細加工に用いる。
エッチングガス を高周波やマイクロ波でプラズマ 化して、基板にバイアスを与えてイオンを垂直に照射して薄膜と反応させてエッチングする。
垂直方向のイオンの衝撃を化学反応の促進に利用して、異方性エッチングを実現している。