STI

Shallow Trench Isolationの略称。
絶縁分離領域に溝を形成し、溝の内面に熱酸化によるシリコン酸化膜を形成する。
内面が酸化された溝をCVD法によるシリコン酸化膜で埋め込み、最後にCMPで研磨して製造する。
プロセス上のポイントは溝形成時のエッチングダメージの低減、溝をCVD法によりシリコン酸化膜で埋め込むときに
ボイドやシームができないように溝を充填することである。