ストレスマイグレーション

英語ではStress-Induced Migrationと表記する。

LSIのAlやCuの金属配線では微細化とともに、その配線とその配線を囲む周りの絶縁層との熱膨張係数の違いによって、
温度を上げたときにストレスが発生し、配線が断線する現象のこと。

メカニズムは、ストレスの掛かった部位に金属配線が内包する空乏(vacancy)が集まりストレス緩和が発生するためと考えられている。