ALD

Atomic Layer Depositionの略称。
化合物薄膜を構成原子または分子の1層毎に化学吸着させ反応を進ませる。
ただし、吸着する分子には大きさがあり、その大きさにより立体障害が発生するため厳密には1層毎の吸着ではない。

化学吸着と改質反応の分子形成サイクルを単位として膜厚がサイクル数に比例して増える。
成膜速度は遅いが、どのような表面形状に対しても均一な膜厚で成膜できること、数nmレベルの薄膜厚制御ができることが特長。