チャージアップモニターウエハ

プロセス処理時において、半導体製造設備が半導体ウエハ製品に与えるゲート酸化膜ダメージ度合を評価するテストウエハのこと。
実デバイスに則してゲート酸化膜の破壊を測定できる。

半導体製造工程では、プラズマや荷電粒子を用いた製造処理装置を多く使用している。
製造処理装置内(例えばチャンバーと呼ばれる処理室内)においてプラズマや荷電粒子に空間的な偏りが発生してしまうと、
処理される側の基板ウエハに局所的な電流が流れてしまう現象が発生する。

この現象は半導体製造上大きな問題で、この電流によってMOS構造のゲート酸化膜(シリコン酸化膜)が破壊され半導体デバイスとして機能しなくなる。

そのためプラズマや荷電粒子を利用する製造装置は、装置の開発段階や製造段階などでプラズマや荷電粒子が想定通り制御でき空間的な偏りが生じていないかチェック・管理する必要がある。