コールドウォール型CVD

英語ではcold wall CVDと表記。
基板ウエハを設置するステージを抵抗やランプなどで加熱し、基板ウエハ上でCVD反応が起きるような構造にしたCVD装置。

基板ウエハを設置する反応室(チャンバー)の壁は加熱しないので、反応室を石英ではなく金属で製作することができる。
枚葉式処理のプロセス装置で取られる方式で、異なるプロセス(例えば2種類のCVD、ALDとCVDまたはPVDとCVDの組み合わせなど）を連続処理することも可能となる。