ホットウォール型CVD

英語ではHot Wall CVDと表記。
500℃～1000℃の高温で行うCVDプロセスの為、石英製のチューブ(炉心管)の中で行うCVDである。

基板ウエハをボートと呼ばれる石英製の治具に設置してチューブの中に入れ、CVD反応に必要な熱エネルギーを石英製のチューブの周りにあるヒーターから輻射熱として供給して、CVD反応を実現する。
プラズマCVDに比べストイキオメトリー(化学量論的組成）に近い組成で成膜することができる。
LP-CVDによるPoly-Si CVDではほぼ100%のカバレッジが実現できる。

ホットウォール型CVDでは基板ウエハ以外に石英製チューブの内壁やボートにも成膜されるため、定期的な洗浄による膜の除去が必要となる。

バッチ式処理のCVD装置でよく取られる方式。