PE-CVD

Plasma Enhanced CVDの略称。
原料ガスをプラスマ（Plasma)放電により励起することで活性種を生成させ、基板の熱アシストも利用して基板ウエハ表面で膜形成を行う技術。

熱CVD反応のみに比べ成膜される膜のカバレッジは非常に悪い。

プラズマ励起に使うプラズマの周波数によっても膜特性は異なり、例えば200KHzなどの低周波を用いたときは、電子とイオンの両方が低周波に追随するため
反応にはイオンボンバードメント効果(ion bombardment effect)も加わり圧縮応力(compressive stress)の強い膜が形成される。

一方、13.56MHzの高周波を利用した反応では低ストレスの膜が形成できる。