エッチング工程の製造手法の一種で英語表記ではDry Etching。
減圧化におけるプラズマによる反応性イオンによるエッチングを指し、RIE(Reactive Ion Etching:リアクティブドライエッチング)と呼ばれる。
RIEは異方性(フォトマスクの形状に沿って垂直にエッチングすること)に優れた加工が可能で、半導体素子の微細化に大きく貢献している技術。
減圧化において、プラズマによる反応性イオンを用いたり反応性のガスを用いたりする化学反応によるエッチングと物理的なスパッタリングによるエッチングに大別される。
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