GST

相変化メモリーPCMは ゲルマニウム (Ge )、アンチモン (Sb)、 テルル (Te)からなるカルコゲナイド合金を記憶材料に用いる。
GSTはこのカルコゲナイド合金の略称である。

組成比（ Ge:Sb:Te=2:2:5)は600 ℃以上に熱せられると結晶がアモルファス相になり電気抵抗が高くなる。
一方でまた結晶点以上に加熱すると結晶相に戻り低抵抗になる。
この相変化は短時間(100ns程度が一般的であるが5nsという報告もある）で行えるので、相変化メモリー材料として使われている。

PCRAMに用いられるGSTの寿命は、相変化による熱膨張の繰り返し発生やGST内部での熱履歴による組成変化によって発生するが、NAND FLASHに比べ寿命は長くenduranceは100万回以上である。