ドライエッチング工程で使う製造プロセス手法の一種。
ウエハ上に一旦SiO2薄膜やSiN薄膜等(最終的にエッチングしたい被エッチング対象物に対してエッチング選択比が取れる膜種)を成膜して、
その上にフォトレジストによるマスクパターンを形成する。
そして、RIEなどで一旦成膜したSiO2やSiNなどの薄膜をエッチングしてフォトレジストパターンをSiO2やSiNに転写。
この転写されたSiO2やSiNなどのパターンをハードマスクという。
このハードマスクと本来エッチングしたい被エッチング対象物とはエッチング選択比が取れるので、目的としたパターンの形成が可能となる。
ドライエッチングの条件によって被エッチング対象物とレジストとのエッチング選択比が取れない(被エッチング対象物と同じような速度でレジストもエッチングされてしまう)場合に、
フォトレジストに代わりマスクパターンとして用いる方法。
用語集Technical Words