High Density Plasma CVDの略称で、高密度プラズマCVDを指す。
相当するプラズマにICP-Plasma, ECRーPlasmaなどがある。
基板にバイアスを掛けてデポとスパッタエッチングを交互に繰り返すプロセスを行うことで、微細な穴や溝を埋め込み(gap fill)ながら成膜するプロセスが実用化されている。
特に高密度プラズマを用いることでSiH4ガスとO2ガスを用いてOH基の少ないシリコン酸化膜を形成することができる。
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