PbZrxTi1-xO3(0<x<1)の頭文字をとった略称でチタン酸ジルコン酸鉛のこと。
一般式が ABO3 と記述されるペロブスカイト構造となる。
圧電性能が高いので圧電デバイス(FeRAM等)の材料。
PZT結晶の格子の中心をZr(ジルコニウム)またはTi(チタン)が占有し、それらはイオンになっているので
外部印加の電界によってその位置を変える(分極する)。
電界を取り去っても位置が元に戻らないので、分極の方向を記憶として利用できる。
電界を逆にすると逆に動く。
このPZTの特性を使ったFeRAM(不揮発メモリ)が実用化されている。
PZTを誘電体にしたキャパシタの分極を一つのトランジスタで書き込みと読み出しに使う。
電界による分極発生はエネルギーを放出するので不可逆な状態変化となるため、この不可逆性は結晶の疲労になり、PZTの寿命を決定する。
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