ReRAM

Resistive Random Access Memoryの略称で抵抗変化型メモリのこと。
RRAMとも略す場合がある。
電流を通したとき電気抵抗のヒステリシス変化を示す材料があり、その変化を利用して2値を検出する半導体メモリーである。
抵抗変化層にはTaOやHfOが用いられている。
例えばTaOを用いる場合、酸素欠損層(Ta2Ox:xは5より小さい)とストイキオメトリー層(Ta2O5)の二層を形成して抵抗変化層を形成する。
この二層で形成されている抵抗変化層にフォーミングと呼ばれる初期の電圧印加を行い、
ストイキオメトリー層側にfilamentと呼ぶ電子の通り道を作ることによってヒステリシス変化を示すようになる。