電子シェーディング効果

英語ではElectron shading effectと表記する。

半導体のエッチング工程で発生するプラズマダメージの一つ。
プラズマが均一な状態でも電子がレジストなど絶縁物に付着し、空間中のイオンと電子の流れの平衡状態が崩れることによって
局所的にプラス領域とマイナス領域が発生し基板に電流が流れることで発生するダメージのこと。

レジスト膜厚が厚い溝パターンで発生し易く、この場合、レジストがマイナスに帯電し、
溝パターンの底部分がプラスに帯電する。