シリサイド

英語ではSilicideと表記する。

シリコンと高融点金属、遷移金属、貴金属を高温で反応させると抵抗率が低く、耐熱性、耐酸化生のあるシリサイドが形成される。
MOSトランジスタの微細化に伴いポリシリコンゲート電極に代わりタングステンシリサイドが用いられた。
また、特にLOGICデバイスではソース・ドレイン電極抵抗とコンタクト抵抗を下げるためにソース・ドレイン電極のシリコン表面をTi,CoやNiでシリサイド化する技術が使われた。