シリコン窒化膜

シリコンナイトライド（Silicon Nitride)や窒化ケイ素ともいわれる。
緻密な構造を有し、化学的安定性に優れていることから、マスク材料、絶縁膜、水分バリア膜、酸化バリア膜、パシベーション膜、メタル拡散防止膜などに利用されている。

シリコン窒化膜の化学量論的組成（ストイキオメトリー）はSi3N4である。
しかし、半導体の製造プロセスでは熱CVD法(LP-CVD)やプラズマCVD法(PE-CVD)でシリコン窒化膜を形成することが一般的であり、
実際の膜は化学量論的組成よりずれるためSiNと表記されることが多い。