シリコン熱酸化膜

シリコンウエハを酸化雰囲気で加熱してシリコンウエハ表面に形成するシリコン酸化膜のこと。

半導体製造工程では700℃～1200℃の温度領域で酸化しており、酸化にはドライ酸化・ウェット酸化・パイロジェニック酸化などの方法がある。

ドライ酸化とウェット酸化を比較した場合、酸素と水蒸気を含む雰囲気で酸化するウェット酸化の方がドライ酸化よりシリコン酸化膜の成長速度は早くなるが、
成長したシリコン酸化膜の膜密度は低くなり、酸化方法によって膜質が異なる。

また、酸化圧力は大気圧のほかに10気圧以上の高圧熱酸化法もある。