CMP

Chemical Mechanical Polishingの略称。
自転する研磨パッドにスラリーを垂らしながら研磨パッドにウエハを押し付けてウエハ表面を研磨する半導体の製造方法。
研磨パッドに押し付けるウエハ側も自転するとともに搖動することで研磨表面の均一性を向上させている。現在の半導体プロセスにおける平坦化技術では無くてはならない技術である。