ウエハ上に形成した素子同士を接続する金属配線の内で、Cuを使った配線のこと。
マシン技術が確立され、Cu配線がドライエッチング技術ではなくCMP技術で形成できるようになり、半導体素子の配線技術として一般化された。
銀に次ぐ2番目に電気抵抗が低く比較的簡単に入手できる金属材料だが、半導体の微細配線に応用されたのはAlよりもずっと後。
理由としてはAlと異なりドライエッチングによる微細加工が困難な金属であることが挙げられる。
半導体に使われているCu配線の抵抗率は約2μΩcm。
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