ダマシン技術

ドライエッチングによって微細配線を形成することができないCu配線を形成するために確立された微細配線の形成技術。

CMP技術により平坦化された基板ウエハ表面の絶縁膜(シリコン酸化膜やLow-k膜などに)に一旦溝をドライエッチング技術によって形成し、溝の形成された凹凸のある表面にバリア膜(TaやTaNなどの薄膜)とシードCu膜(Cuの薄膜)をPVD法で均一に形成する。
次にCu電解メッキによって基板ウエハ全面にメッキCuを形成する。
このとき微細な溝の中をシームレスにメッキCuで完全に埋め込むことが重要で低抵抗なシードCuが溝の中もきちっと成膜できていることが重要となる。
Cuメッキまで終了した基板ウエハの表面をCMPで研磨して表面のCuを除去し、溝パターンにのみCuが充填されて残った表面を浮き上がらせてCu配線を形成する。
この配線形成技術をダマシン技術という。