FeRAM

Ferroelectric Random Access Memoryの略称で強誘電体メモリのこと。

強誘電体のヒステリシス （履歴効果）に因る正負の残留分極（自発分極）を データ の1と0に対応させた 不揮発性メモリである。
PZTを強誘電体に使うものが市販化されているが、HfO2を使うものが新たに開発されている。

HfO2を使うものは微細化による高集積化が可能なため注目が集まっている。