総合Works All

＜211＞方向に4℃傾けたSi(111)基板上に3C-SiCをヘテロエピタキシャル成長させることに1985年に成功しました。斜め基板に結晶成長させるこの技術はGaNやSiC材料を使う大電力デバイスの製品化に貢献しました。

0.15um立方のSiパウダーの上に近接高周波に共振するアンテナを作ることを試みました。 高周波共振パウダーを塗料などに混ぜて使うと異なる周波数共振の塗料ができます。 これをID塗料として使用する応用を考えました。