コラム／研究実績Blog

＜211＞方向に4℃傾けたSi(111)基板上に3C-SiCをヘテロエピタキシャル成長させることに1985年に成功しました。斜め基板に結晶成長させるこの技術はGaNやSiC材料を使う大電力デバイスの製品化に貢献しました。

0.15um立方のSiパウダーの上に近接高周波に共振するアンテナを作ることを試みました。 高周波共振パウダーを塗料などに混ぜて使うと異なる周波数共振の塗料ができます。 これをID塗料として使用する応用を考えました。

ウエハやチップを互いに貼り付けて、3次元集積する方向が示されました。その技術開発のために当社は必要なテストウエハを設計して製造しました。その一例をご紹介します。

Heat Beam シリンダーから発射する高温ガスをガラス一定速度で移動するガラス基板に衝突させると、基板上のアモルファスSiを結晶Siに変化させます。PETフィルム上の塗布膜高温焼結ができます。

第1章　難解な「真実」を簡単に説明する「表現」